●光波的特性與蝕刻
在了解幾種目前活躍的光刻技術之前，我們先來了解光波的特性。光波有多種頻率。頻率是指任意時間間隔內（通常為一秒鐘）通過空間中某一點的波數。它的計量單位是周（波）/秒，或赫茲（Hz）。可見光的頻率稱為顏色，范圍是430萬億Hz（紅色）到750萬億Hz（紫羅蘭色）。當然，頻率的總范圍超出可見光譜之外，從不足十億Hz的無線電波到超過30億Hz的伽馬射線。
如上文所述，光波是能量波。光波的能量大小與其頻率成一定比例：高頻光的能量較高，低頻光的能量較低。因此，伽馬射線的能量最高，無線電波的能量最低。在可見光中，紫光能量最大，而紅光能量最小。
上圖中，我們可以明確看到EUV極端遠紫外光在光譜中的位置，這是一種波長極短的光刻技術，其曝光波長大約為13.5nm。按照目前理論上認為的波長與蝕刻精度關系，EUV技術能夠蝕刻出5nm以下工藝的晶體管。
隨著集成電路產品技術需求的提升，光刻技術也不斷地提高分辨率，以制作更微細的器件尺寸。全球光刻技術的進程。傳統上提高光刻技術的分辨率無非是縮短曝光波長及增大鏡頭的數值孔徑NA，通常縮短波長是最有效的方法之一。
但是目前在縮短波長方面，各家光刻設備商都遇到的困境，或者說縮短波長已經成為整個行業最大的挑戰。在各種活躍的光刻技術中，EUV技術擁有最短的曝光波長，但是目前推進非常艱難，而193nm傳統光學光刻技術雖然老邁，但是加入了沉浸式技術配合之后，已經能夠延伸到22nm左右工藝中。