●生不逢時的157nm干式光刻技術
157nm光刻，傳統上被稱為光學方法的極限，其光源采用氟氣準分子激光，發出波長157nm附近的真空紫外光?？偟膩碚f，目前氟氣準分子激光器功率己可達20W，157nm光刻尚處在研發之中。
繼深紫外光（193nm）光刻技術之后，真空紫外光刻技術快速發展，最初的應用目標是65納米技術節點。其光源采用氟氣準分子激光，激發出波長157nm附近的真空紫外光，目前氟氣準分子激光器已經商品化，商業上已生產出20瓦功率的157 納米激光器。
波長短到157nm時，大多數的光學鏡片材質在短波長下都是高吸收狀態，會將激光的能量吸收，受熱膨脹的影響而造成球面像差。而氟化鈣為低吸收材質，便成為157nm光刻技術中光學鏡片的主要材質。近年來氟化鈣鏡片的研磨技術愈來愈成熟，鏡片的表面粗糙度已經可以小于0.2nm，其吸收系數可至0.001cm-1。
目前157nm光刻的主要困難如下：
當波長短到157nm時，大多數的光學鏡頭材料都是高吸收態，易將激光的能量吸收，受熱膨脹后而造成球面像差。目前只有氟化鈣為低吸收材料，可供157nm使用。目前二氟化鈣鏡頭結構在雙折射等技術問題方面尚無法解決，加之產量需求少，而投入非常大。造成成本昂貴。
有機材料的軟Pellicle不可能承受157nm的輻射（因輻射吸收熱量太大），而無機材料的硬Pellicles必須用熔融的石英材料經特殊的加工制成，加工成非常薄的材料非常困難，800μm的厚度就可能因為重力而下垂。
2003年對于全球半導體工業是個值得回憶的年份，5月份Intel公司突然宣布放棄157nm技術，將繼續使用193nm浸入式光刻技術進行65nm及45nm的制程，并繼續拓展193nm浸入式光刻技術，使之能夠適應更深層次的工藝需求，同時計劃采用極短紫外光（EUV）來制作22nm以下的制程。
Intel的此舉尤如重量級炸彈一樣，因為實則上將157nm技術跳了過去。眾所周知，Intel是全球光刻設備最大的買主，Intel的任何動作，將在全球半導體業界引起極大的反響。而不采購157nm光刻相關設備，則意味著Intel放棄了這個被稱為傳統意義上光學極限的光刻技術。
盡管Intel宣布決定放棄157nm光刻，但是業界在157nm光刻技術的進程并沒有因此停頓，至少在32nm光刻技術的選擇方法中是一個重要的籌碼，因為157nm也能附加浸入式技術而提高分辨率。